（来源：上观新闻）
高端EM🎒L芯片的制造依👨🏫赖磷化🇪🇸铟（InP）基板🈸，与硅基半导⛵⛈体不同，📋InP🐔🥕等化合物半导🥚👩🏫体的晶体⚙生长极其👄🖖困难，良率控制极🛬🏴具挑战👨👧👦。但宽度🤙⚗和深度真的在同🇬🇮等地发😏🚴♀️挥作用吗？9️⃣ 并非如此🍖。从芯片设计、外延🏄🖍生长、芯片制◾☂造到特种封⚜装，再到模组、器🏂🇭🇳件、整机制造🅰，全链⌨👙条握在自🧰己手里🐒🇱🇺。
在力学性能上📆，最优样😥™品 G👨✈️🌂SD-1🙋13 的抗拉强☠度高达 9🧼00 兆帕，📍😡远超常规铜箔 3🏕🦘00-🏙👨🦰600 兆帕的🎃🇲🇷强度极限🐸，是普通纳米👨👨👦晶铜箔的 1.4™ 倍以上，在🐭 10🧛♀️🇬🇳 微米超薄厚度🗽下依旧保持🏷🐯良好塑性，👂延伸率约 3Ⓜ%，完全满足➕✳集成电路加工、🏍锂电池🙄☯卷绕的力学要求♟️。
